西數發布BiCS5閃存技術 做到了112層堆棧

閃存技術一直在發展，近日，西數與鎧俠聯合開發推出新一代閃存技術BiCS5，擁有TLC及QLC閃存兩種類型，最高密度為1.33Tb QLC閃存，初期會以512Gb核心的TLC開始量產，而商業化量產時間預計2020年下半年，其中日本三重縣四日市及岩手縣北上市的晶圓廠作為主要生產工廠。

西數存儲芯片技術和製造高級副總裁Steve Paak博士表示，在進入下一個十年的時候，一種新型的3D閃存對持續滿足不斷增長的數據容量及速率的需求至關重要，而BiCS5的成功研發體現了西數在閃存技術上的領導地位及路線圖的強大執行力。

據介紹，西數目前最先進、密度最高的3D NAND閃存BiCS5閃存，通過第二代多層存儲孔、改進工藝及其他3D NANDg功能等手段提高存儲芯片的橫向存儲密度，在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧，存儲容量提升40%，IO性能提升50%，成本也優化了。