三項強製一項可選：簡單講講手機UFS3.1存儲究竟都升級了什麼

對於旗艦手機消費者而言，相信從去年驍龍855 Plus旗艦上市的時候開始，就已經對UFS3.0有所了解了。而UFS3.1到底有了哪些提升呢？網上有一些評測展現出了兩者的性能差異，關鍵在於我們要知道差異在哪。比如從理論最大帶寬來說，兩者其實都是23.2Gbps的理論最大帶寬，並沒有什麼變化，這也成了網上一切強調它“體驗不明顯”的理論依據。

既然最大帶寬不變，那性能差異又從哪來的呢？其實取決於兩個層麵。第一個層麵那就是不同品牌、不同品質顆粒之間的規格差異，在同樣UFS2.1傳輸模式下都會造成速度有區別，它才是木桶的短板。閃存實際讀寫速率遠低於外部接口速率，我們早在UFS2.1時代就見識過了，在UFS3.0以及UFS3.1上同樣如此。而另一個層麵，則是UFS3.1所引入的新技術造成了性能差異，也就是接下來要說的內容。

新發布的UFS3.1新增了四項新特性，包括三項是強製和一項非強製。這三項中第一個是Write Boost，其原理類似SSD固態硬盤的虛擬SLC技術。在這種技術下可以先將TLC虛擬成SLC，也就是在8bit存儲空間裏隻寫入2bit數據，這樣原本使用八種電壓寫入變成了隻使用兩種電壓，避免頻繁調壓造成寫入延遲增大，閃存的寫入速度也就提升了，之後可以再利用其他空閑時間整理數據，這樣用戶就根本察覺不到。

另外兩項則是對硬件起到保護作用的技術。DeepSleep可以讓設備進入新升級了的低功耗狀態，確保手機在閑置時能更省電。我們知道，大多數時候手機都是閑置的，所以引入這項技術之後可能會讓用戶感知更直觀一些。第三項技術叫做Performance Throttling Notification，它可以在閃存溫度過高時通知係統限製讀寫性能為硬件降溫，說人話就是手機閃存終於有溫控了。

至於那項非強製性的技術，叫做Host Performance Booster（HPB），Realme王偉剛在網上做了簡單科普。當我們存儲一個文件的時候，這個文件在邏輯上是完整的，但寫入到閃存芯片裏卻是被分成了無數塊，放在了無數個位置。所以需要一個“邏輯到物理映射表”，也就是L2P Map把兩者聯係起來按圖索驥。

手機數據存儲是逐步趨於碎片化的，隨著手機使用的越久，L2P Map也會變得越來越大，檢索也就變得十分困難，而且一般放在主控緩存甚至直接放在閃存裏被調用，這樣速度很慢，這是手機越來越慢的原因之一。HPB技術就是把L2P Map讀取到內存裏，讓手機的讀取大大提速。而且轉移到內存之後，即便是使用了很久，也不會因為L2P Map變複雜導致讀取性能明顯下降。

這項技術最早由三星開發，已經是幾年前的舊技術了。三星本意是借助該技術用內存取代SSD的緩存，這樣可以降低SSD成本，誰知如今被用來給手機提速。不過這不是新技術而且非強製，甚至可以和UFS3.1完全無關，有沒有HPB就完全取決於手機廠商了。

說到這也許很多人已經發現了，UFS3.1到底有沒有用？這並不是一個能給出標準答案的問題，不管基於哪種態度都能找到支持的理由，但對使用體驗的影響確實有限。也正是因此，它僅僅成為了UFS3.1，而不是UFS4.0。至少以現階段來說，手機讀寫性能還是取決於使用什麼品質的閃存，而不是采用什麼接口標準。