兩年投入超300億，華為終於在最核心領域內出手！不靠台積電。

據悉，美國此舉實際上就是想限製台積電代工生產華為芯片，畢竟華為芯片幾乎都由台積電代工生產，並且，台積電是技術最為先進的代工廠。

美國修改禁令規則後，全球芯片供應鏈都表達了不滿，台積電更是不希望發生。

其不僅尋找禁令漏洞，還對美國政府進行遊說，甚至直接向美國提出申請，目的就是放寬限製。

但結果很不理想，在7月中旬的時候，台積電明確表示，目前沒有計劃在9月14日後繼續向華為供貨，而美國禁令生效時間是9月15日。

另外，台積電劉德音表示，台積電追求的是技術領先，在半導體領域，如果不采用最好的設備，將難以達到技術領先水平。

如果要考慮美係科技以外的選項，那不是我們目前努力的方向。

也就是說，除非獲得美國許可，否則台積電是不可能代工華為芯片，這意味著斷供成必然。

雖然國內廠商有中芯國際，但在中芯國際上市前就表示，因為美國禁令，可能無法代工生產某些廠商的芯片。

最主要的是，中芯國際技術落後太多，目前能量產的最先進的芯片是14nm，產能還有限，12nm的芯片還在試產中。

至於7nm、5nm、3nm等製程的先進芯片，中芯國際目前是無法量產，也不能量產，因為沒有EUV光刻機。

而芯片又是現在智能設備的核心元器件，倘若不能使用華為自主研發的海思係列處理器，將會影響華為5G、手機等業務。

於是，有報道稱，華為正在學習三星，準備自建生產線，實現芯片自研自產，而高通目前也在朝著這方麵轉型。

麵對光刻機這個棘手的問題，華為終於在最核心領域內出手了，要自主研發光刻機技術。

根據有關媒體的報道，華為目前已經在招聘光刻機工程，預計在兩年內投入超300億元，要實現自主光刻機技術突破。

當然，華為進入光刻機研發領域內，也並非一時興起，早在2016年，華為就申請了相關光刻機技術專利，但當時環境並非這麼迫切。

另外，消息稱華為已經開啟了“戰時狀態”，每天工作超18個小時，目前就全力實現光刻機技術突破。

因為EUV光刻機是生產7nm以下芯片的必要設備，而唯一生產先進光刻機的荷蘭廠商ASML，也受製於美國禁令，所以先進光刻機一直無法達到國內。

在這樣的情況下，華為不得不高投入、全力突破光刻機技術，隻有掌握自主光刻機技術，才能徹底擺脫美國禁令。

當然，華為計劃研發光刻機技術，2年超300億還不夠的，畢竟先進光刻機是頂級技術，零件超40萬個，否則也不會僅掌握早荷蘭一家公司手中。

但華為進入光刻機領域內是好事，必然會推動光刻機技術突破。

因為華為每進入一個領域，都能取得矚目的成績，像華為手機現在是全球第二、5G手機是全球第一、5G技術也是全球第一。

而華為海思更是全球第十，還是唯一一家國產半導體廠商，如今華為研發光刻機技術，必然加速國內光刻機技術的進行，盡早實現自主光刻機量產。

一旦國產自主先進光刻機研發成功，芯片代工方麵不靠台積電，要知道，目前國內先進芯片幾乎都是台積電代工的。

當然，華為在最核心的領域內出手，著手研發光刻機技術，也並非在孤軍奮戰。

目前國內廠商有很多都在研發光刻機技術。

像上海微電正在全力研發28nm的光刻機，預計近兩年內量產，一旦投入使用，經過改良後，國內廠商就能量產10nm的芯片。

另外，深圳的中微半導體已經成功的研發出了可以用於5nm工藝生產的蝕刻機，消息稱該國產5nm的腐蝕機已經通過台積電驗證，將會用於生產5nm的芯片生產線中。

還有就是，中科院研究出了一種新型5nm超高精度激光光刻加工方法，雖然與5nm光刻機等是兩碼事。

但至少掌握了5nm這樣的先進切割技術，未來能夠應用在光刻機中。

也就是說，一旦這些廠商技術成熟，通過技術融合成功量產自主光刻機，國內芯片廠商就能不靠台積電，更不用擔心美國禁令了。